本發(fā)明揭示了一種晶圓拋光方法,該方法包括:膜厚測(cè)量步驟,對(duì)晶圓進(jìn)行膜厚測(cè)量;移放晶圓步驟,將晶圓移放至工藝位置;預(yù)濕潤(rùn)及
電化學(xué)拋光步驟,預(yù)濕潤(rùn)晶圓后對(duì)晶圓進(jìn)行電化學(xué)拋光;后續(xù)處理步驟,對(duì)晶圓進(jìn)行后續(xù)處理;晶圓根據(jù)其膜厚,預(yù)濕潤(rùn)及電化學(xué)拋光步驟被重復(fù)執(zhí)行多次后才進(jìn)入后續(xù)處理步驟。采用本發(fā)明的技術(shù)方案,能夠大大縮短工藝時(shí)間,并保證拋光得到的晶圓表面具有良好的粗糙度。
聲明:
“晶圓拋光方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)