本發(fā)明公開了一種關(guān)鍵尺寸的控制方法,涉及半導(dǎo)體領(lǐng)域的光刻工藝。該控制方法包括:提供若干個(gè)控片,在控片表面形成模擬襯底;在控片模擬襯底上涂化學(xué)增幅光刻膠,進(jìn)行曝光;進(jìn)行顯影步驟;顯影后,對(duì)控片進(jìn)行關(guān)鍵尺寸的測(cè)量,測(cè)定的尺寸為基準(zhǔn)尺寸;將控片放置在生產(chǎn)晶圓的存放傳送相同的環(huán)境內(nèi),放置不同的存放時(shí)間;測(cè)量經(jīng)過所述不同存放時(shí)間后控片的關(guān)鍵尺寸,制成關(guān)鍵尺寸和存放時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系曲線,該對(duì)應(yīng)關(guān)系曲線位于基準(zhǔn)尺寸和生產(chǎn)晶圓的最大合格尺寸之間部分對(duì)應(yīng)的存放時(shí)間即是生產(chǎn)晶圓的安全存放時(shí)間。本發(fā)明的控制方法通過顯影后關(guān)鍵尺寸與存放時(shí)間的對(duì)應(yīng)關(guān)系找出晶圓安全的存放時(shí)間,周期較短,提高了生產(chǎn)效率和保證良好產(chǎn)品成品率。