本發(fā)明公開(kāi)了一種碳化硅單晶薄膜的制備方法,工藝流程主要包括:樣品清洗、晶圓鍵合、原始厚度測(cè)量、碳化硅減薄、厚度監(jiān)測(cè)、二次厚度測(cè)量、化學(xué)機(jī)械拋光、樣品清洗、薄膜表征等工藝。通過(guò)該方法可以獲得表面平坦的微米級(jí)厚度的碳化硅單晶薄膜,同時(shí)也避免了另一種常見(jiàn)的薄膜制備方法smart?cut工藝過(guò)程中需要注入高劑量的氫離子從而增加缺陷的影響。所制備的碳化硅單晶薄膜是硅襯底上的
異質(zhì)材料,用戶可以很方便地將其從襯底上分離出來(lái),也可以選擇性地保留薄膜的部分襯底,方便后續(xù)的使用。通過(guò)該方法原則上也可以由塊狀樣品獲得暫時(shí)還難于異質(zhì)外延生長(zhǎng)或者難于沿特定晶向異質(zhì)外延生長(zhǎng)的碳化硅薄膜材料以及其它薄膜材料。
聲明:
“碳化硅單晶薄膜的制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專(zhuān)利(論文)的發(fā)明人(作者)