本發(fā)明涉及一種釩酸銫紅外倍頻晶體材料及其制備與應(yīng)用,該晶體材料的化學(xué)式為Cs
2V
4O
11,屬于正交晶系,空間群為Pca2
1,晶胞參數(shù)為
α=β=γ=90°,Z=2,
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的釩酸銫材料具有較大的倍頻效應(yīng),在1064nm激光照射下,粉末倍頻強(qiáng)度約為KH
2PO
4(KDP)晶體的12倍;在2.10μm激光照射下測(cè)得粉末倍頻效應(yīng)強(qiáng)度約為AgGaS
2晶體的2.2倍。在波長(zhǎng)1064nm的激光下測(cè)得激光損傷閾值為已商業(yè)化的紅外二階非線性光學(xué)晶體材料AgGaS
2的24倍。此外,該晶體材料在可見光和紅外區(qū)有很寬的光學(xué)透過范圍,完全透過波段為0.33~14.80μm,在激光頻率轉(zhuǎn)換、光電調(diào)制、激光信號(hào)全息儲(chǔ)存等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。
聲明:
“釩酸銫紅外倍頻晶體材料及其制備與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)