本發(fā)明涉及用于制造經(jīng)外延涂覆的半導體晶片的方法,其中制備多個至少在其正面上拋光的半導體晶片,并且均依次單獨通過化學氣相沉積法在外延反應器內(nèi)于800至1200℃的溫度下將外延層施加到其經(jīng)拋光的正面上而通過以下步驟進行涂覆:分別將一片所制備的半導體晶片支撐在根據(jù)本發(fā)明的裝置上,從而使該半導體晶片位于該環(huán)上,該半導體晶片的背面朝向具有透氣性結構的基座的底部,但是不接觸該基座,從而通過氣體擴散使氣態(tài)物質從該半導體晶片的背面上方的區(qū)域透過該基座導入基座的背面上方的區(qū)域內(nèi),此外該半導體晶片僅在其背面的邊緣區(qū)域內(nèi)與該環(huán)相接觸,其中在半導體晶片內(nèi)完全不會產(chǎn)生利用光彈性應力測量法(“SIRD”)可測的應力。
聲明:
“外延涂覆半導體晶片及其制造方法和裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)