亚洲欧美国产精品粉嫩|亚洲精品精品无码专区|国产在线无码精品电影网|午夜无码久久久久久国产|亚洲国产精品一区二区动图|国产在线精品一区在线观看|欧美伊人久久久久久久久影院|中文字幕日韩av在线一区二区

合肥金星智控科技股份有限公司
宣傳

位置:中冶有色 >

有色技術頻道 >

> 化學分析技術

> 外延涂覆半導體晶片及其制造方法和裝置

外延涂覆半導體晶片及其制造方法和裝置

1076   編輯:管理員   來源:中冶有色技術網(wǎng)  
2023-03-19 08:14:38
本發(fā)明涉及用于制造經(jīng)外延涂覆的半導體晶片的方法,其中制備多個至少在其正面上拋光的半導體晶片,并且均依次單獨通過化學氣相沉積法在外延反應器內(nèi)于800至1200℃的溫度下將外延層施加到其經(jīng)拋光的正面上而通過以下步驟進行涂覆:分別將一片所制備的半導體晶片支撐在根據(jù)本發(fā)明的裝置上,從而使該半導體晶片位于該環(huán)上,該半導體晶片的背面朝向具有透氣性結構的基座的底部,但是不接觸該基座,從而通過氣體擴散使氣態(tài)物質從該半導體晶片的背面上方的區(qū)域透過該基座導入基座的背面上方的區(qū)域內(nèi),此外該半導體晶片僅在其背面的邊緣區(qū)域內(nèi)與該環(huán)相接觸,其中在半導體晶片內(nèi)完全不會產(chǎn)生利用光彈性應力測量法(“SIRD”)可測的應力。
聲明:
“外延涂覆半導體晶片及其制造方法和裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
分享 0
         
舉報 0
收藏 0
反對 0
點贊 0
標簽:
化學分析
全國熱門有色金屬技術推薦
展開更多 +

 

中冶有色技術平臺微信公眾號
了解更多信息請您掃碼關注官方微信
中冶有色技術平臺微信公眾號中冶有色技術平臺

最新更新技術

報名參會
更多+

報告下載

第二屆中國微細粒礦物選礦技術大會
推廣

熱門技術
更多+

衡水宏運壓濾機有限公司
宣傳
環(huán)磨科技控股(集團)有限公司
宣傳

發(fā)布

在線客服

公眾號

電話

頂部
咨詢電話:
010-88793500-807
專利人/作者信息登記