本發(fā)明涉及一種銅碘團(tuán)簇基微立方閃爍體及薄膜的制備和應(yīng)用方法,是一種能夠產(chǎn)生電離輻射激發(fā)發(fā)射的微立方閃爍體。微立方閃爍體包含摻雜在基質(zhì)層中的銅碘團(tuán)簇基微立方閃爍體。銅碘團(tuán)簇基微立方閃爍體的化學(xué)式為C18H38Cu4I6N4。基質(zhì)層是一些高透光性、優(yōu)異的化學(xué)穩(wěn)定性和良好的機(jī)械性能的聚合物。本發(fā)明的另一方面是電離輻射成像系統(tǒng),微立方閃爍體放置在摻雜微立方閃爍體的基質(zhì)層后方的數(shù)字照相機(jī)。光電探測器可以是下述的任意一種。通常,光電探測器是光電倍增管(PMT)探測器,薄膜晶體管(TFT)光電二極管傳感器,電荷耦合器件(CCD)傳感器,互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)傳感器或銦鎵氧化鋅(IGZO)TFT傳感器。
聲明:
“銅碘團(tuán)簇基微立方閃爍體及薄膜的制備和應(yīng)用方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)