本發(fā)明公開了一種用于在制造半導(dǎo)體器件中處理晶圓的方法和系統(tǒng),其中,化學(xué)反應(yīng)需要設(shè)置化學(xué)品和晶圓加熱。將晶圓放置在晶圓加熱器之上,從而使第二表面面對(duì)晶圓加熱器,并且從第二表面加熱晶圓?;瘜W(xué)層形成在相對(duì)的第一表面上。設(shè)置晶圓加熱器的尺寸并且將晶圓加熱器配置為能夠加熱整個(gè)第二表面,并且如果需要,晶圓加熱器適合于產(chǎn)生局部不同的溫度分布。在加熱期間,可以監(jiān)測晶圓上的實(shí)際溫度分布且將實(shí)際溫度分布傳輸至計(jì)算系統(tǒng),計(jì)算系統(tǒng)可以產(chǎn)生目標(biāo)溫度分布并且根據(jù)目標(biāo)溫度分布控制晶圓加熱器以調(diào)整晶圓上的局部溫度。用于加熱化學(xué)品的輔助加熱器可以用于更精細(xì)地控制晶圓溫度。
聲明:
“可精細(xì)控制溫度的晶圓加熱系統(tǒng)” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)