本發(fā)明提供一種無機中紅外非線性光學晶體材料，其化學式為Rb2CdBr2I2，上述材料的晶體空間群為Ama2，晶胞參數(shù)為a=11.764(8)?, b=12.025(8)?, c=8.446(6)?, α=β=γ=90°, Z=4。本發(fā)明還提供了上述晶體材料的制備方法，本發(fā)明制得的晶體材料具有以下特點：1.具有較強的能相位匹配的倍頻效應（SHG)，Kurtz粉末倍頻測試結果表明其粉末倍頻效應為磷酸二氫鉀（KDP)的4倍；2.激光損傷閾值達到190MW/cm2, 是目前的商用的中紅外非線性光學晶體材AgGaS2的激光損傷閾值的6倍。3.化合物在可見光區(qū)和中紅外光區(qū)有很寬的透過范圍，完全透過波段為0.4-14微米；4.不含結晶水，對空氣穩(wěn)定，且熱穩(wěn)定性較好；5.可利用簡單的溶劑揮發(fā)法制備單晶材料。
聲明：
“中紅外非線性光學晶體材料Rb2CdBr2I2及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究，如用于商業(yè)用途，請聯(lián)系該技術所有人。
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編輯：管理員
來源：中冶有色技術網(wǎng)
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2025年03月25日 ~ 27日 
