本發(fā)明公開了一種納米結(jié)構(gòu)有序多孔薄膜型氣敏元件及其制備方法。元件包括襯底、電極和其上的薄膜,特別是襯底為曲面狀,薄膜由球形孔狀的金屬氧化物構(gòu)成,其孔徑為200~1000NM,薄膜厚度為100~5000NM。方法包括單層膠體晶體模板,步驟為(1)將單層膠體晶體模板浸入濃度為0.1~0.5M的金屬氧化物前驅(qū)體溶液或溶膠中,待其脫離襯底并漂浮在前驅(qū)體溶液或溶膠的表面后,用所需形狀帶有電極的襯底撈起單層膠體晶體并使其覆蓋于襯底表面;(2)先將其置于80~120℃下加熱1~2小時(shí),再將其置于200~500℃下燒結(jié)2~3小時(shí);(3)重復(fù)上述(1)和(2)的步驟0次以上,制得納米結(jié)構(gòu)有序多孔薄膜型氣敏元件。它可廣泛地用于環(huán)境監(jiān)測(cè)、化學(xué)工業(yè)等眾多領(lǐng)域。
聲明:
“納米結(jié)構(gòu)有序多孔薄膜型氣敏元件及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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