一種多通道
芯片電泳集成納米微帶電極陣列,它是固化的聚二甲基硅氧烷矩形塊,在聚二甲基硅氧烷矩形塊中埋有一列上、中、下三條寬1±0.1MM、長30-50MM的致密均一的化學鍍金屬膜條,上、中、下金屬膜條之間的間隔為200±20ΜM,上金屬膜條距離聚二甲基硅氧烷矩形塊頂面為200±20ΜM,下金屬膜條距離聚二甲基硅氧烷矩形塊底面為1±0.1MM,上、中、下金屬膜條的一端的末端通過導電膠粘附導電鋁膠帶接有導線,另一端暴露出的金屬膜條即可作為電極使用。它可以和電泳芯片配合進行芯片電泳的測試。本發(fā)明公開了其制法。
聲明:
“多通道芯片電泳集成納米微帶電極陣列及其制法和用途” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)