本發(fā)明屬于化學氣相沉積真空設備及微納薄膜生產技術領域,具體公開了一種分源定位真空管式爐裝置,包括氣體流量控制器、置源組件、第一法蘭盤、管式爐石英管和第二法蘭盤,置源組件包括第一接口、置源管、伸縮管和測溫管,置源管和氣體流量控制器通過第一接口相互連通,伸縮管套設于置源管外,測溫管一端穿過第一接口并容置于置源管內;第一法蘭盤一端面設置有和多個置源組件一一對應安裝的多個第二接口,管式爐石英管兩端分別安裝有第一法蘭盤和第二法蘭盤。本發(fā)明提供的裝置可將化學氣相沉積生長所需的各個分子源獨立分開控制,獨立調節(jié)各個分子源的溫度、流速和位置,能夠精度滿足納米薄膜生長需求,法蘭端真空接口擴展容易,調整方便。
聲明:
“分源定位真空管式爐裝置” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)