本發(fā)明公開了一種氮硅雙修飾
石墨烯量子點固態(tài)膜的制備方法。該方法以射頻等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)作為石墨烯量子點固態(tài)膜生長方法,以高純乙烯作為石墨烯量子點生長的碳源氣體,以
硅烷混合氣和高純氮氣分別為石墨烯量子點的生長提供硅元素修飾和氮元素修飾。相對于目前常用的石墨烯量子點制備方法,如
電化學(xué)法、水熱法、酸氧化法、溶液化學(xué)法以及微波超聲等方法,該方法的突出優(yōu)點是石墨烯量子點不是以液態(tài)和膠體態(tài)的形式存在,而是以固態(tài)膜的形式存在且制備工藝同傳統(tǒng)半導(dǎo)體工藝相兼容。本發(fā)明所提出的這種氮硅雙修飾石墨烯量子點固態(tài)膜的制備方法能使石墨烯量子點在
太陽能電池、光電探測器以及發(fā)光二極管等半導(dǎo)體器件中得到很好的應(yīng)用。
聲明:
“氮硅雙修飾石墨烯量子點固態(tài)膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)