本發(fā)明公開了一種非線性光學(xué)增強氮化硅薄膜制備方法,該發(fā)明屬于薄膜非線性光學(xué)技術(shù)領(lǐng)域。該發(fā)明采用原子層薄膜沉積技術(shù)制備氮化硅薄膜,通過調(diào)控前驅(qū)物組份的化學(xué)計量比,實現(xiàn)氮化硅薄膜非線性光學(xué)增強的效果。具體是指將潔凈的襯底放置在鍍膜夾具后,利用原子層沉積方法獲得氮化硅薄膜,采用流量控制方式,實現(xiàn)硅氮元素化學(xué)計量比控制在1:10?10:1范圍內(nèi),膜層厚度范圍20?300nm。通過Z掃描的方法測試氮化硅薄膜的非線性光學(xué)特性。根據(jù)本發(fā)明的方法制備的氮化硅薄膜性能優(yōu)異,能夠應(yīng)用于吸收型光開關(guān)或吸收型光雙穩(wěn)器件等領(lǐng)域。另外,本發(fā)明關(guān)于一種氮化硅薄膜非線性光學(xué)增強的制備方法操作簡單,制備周期短,成本低,效果顯著。
聲明:
“非線性光學(xué)增強氮化硅薄膜制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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