本發(fā)明涉及一種基于絕緣隔板優(yōu)化的開關(guān)柜絕緣水平提升方法,其特點(diǎn)是:制作絕緣隔板樣片,測(cè)量樣片表面原子種類、含量和化學(xué)鍵占比,建立隔板分子結(jié)構(gòu)模型并進(jìn)行優(yōu)化,計(jì)算隔板樣片分子的帶隙寬度及電子親和勢(shì),在隔板分子最優(yōu)結(jié)構(gòu)模型中添加特定元素,再次優(yōu)化分子結(jié)構(gòu)模型,構(gòu)建寬散射截面和高逸出勢(shì)壘的低二次電子發(fā)射系數(shù)表面結(jié)構(gòu),采用離子濺射、真空蒸鍍和化學(xué)刻蝕處理,進(jìn)一步改性絕緣隔板。本發(fā)明設(shè)計(jì)合理,其通過合理修飾隔板表面狀態(tài),可提升開關(guān)柜在高溫、高濕、凝露和污穢環(huán)境下的絕緣水平,為提高電力裝備絕緣水平和運(yùn)行可靠性提供理論依據(jù)和實(shí)踐方法。
聲明:
“基于絕緣隔板優(yōu)化的開關(guān)柜絕緣水平提升方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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