本發(fā)明涉及一種在硅基片上通過(guò)間歇式循環(huán)工藝生長(zhǎng)金剛石薄膜的方法,屬無(wú)機(jī)非金屬材料化學(xué)氣相沉積工藝技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明利用傳統(tǒng)的、現(xiàn)有的熱絲化學(xué)氣相沉積裝置,采用間歇壓循環(huán)工藝生長(zhǎng)金剛石薄膜的方法,即間歇性地通入氫氣對(duì)金剛石薄膜進(jìn)行刻蝕,以減少薄膜中石墨的含量;本發(fā)明方法可制得具有優(yōu)良電學(xué)性能的、適合于制作探測(cè)器的金剛石薄膜材料。
聲明:
“間歇式循環(huán)工藝生長(zhǎng)金剛石薄膜的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)