本發(fā)明公開了一種錳摻雜單層二硫化鎢二維晶體的制備方法,屬于無機半導體
納米材料制備領域。該Mn摻雜單層WS
2二維晶體的制備方法為:以MnO
2、NaCl、WO
3、S為原料,在三溫區(qū)管式爐里面以Si/SiO
2為基底,通過化學氣相沉積的方式制備得到Mn摻雜單層WS
2二維晶體。本實驗室生長的本征WS
2形貌多為規(guī)則的正三角形,Mn摻雜后的WS
2樣品的光學圖像出現(xiàn)明顯的襯度差,并且會有部分不規(guī)則的多角形出現(xiàn)。本發(fā)明操作簡單,成本低廉,對儀器設備要求低,合成的樣品化學及熱力學穩(wěn)定性好。所制備的樣品在電子、傳感器、探測器等光電及稀磁半導體方面有著巨大的應用前景。
聲明:
“錳摻雜單層二硫化鎢二維晶體的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)