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半導體裝置的制造方法

756   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:23:06
提出一種半導體裝置的制造方法。本文描述了測試墊結(jié)構(gòu)及測試墊的形成方法。一種用于形成測試墊的方法,包括:形成裝置元件于基板上方;沉積介電層于裝置元件及基板上方;以及蝕刻開口于介電層中至第一深度。一旦形成開口,沉積導電材料于開口中,隨后化學機械平坦化,以形成測試墊的第一柵格部件及面板區(qū),第一柵格部件從面板區(qū)縱向延伸至測試墊的周邊。一旦形成,可在裝置元件的晶圓接受度測試(wafer acceptance test,WAT)及/或制程控制監(jiān)視(process control monitoring,PCM)測試期間使用探針來接觸測試墊的面板區(qū)。
聲明:
“半導體裝置的制造方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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