本發(fā)明提供了一種
稀土晶體生長設備,該稀土生長設備包括:晶體生長爐;所述晶體生長爐的內(nèi)部設置有加熱元件;所述晶體生長爐的爐膛頂端設置有觀測視窗;所述晶體生長爐的爐膛頂端的外部、所述觀測視窗的上部設置有非接觸式紅外測溫裝置。與現(xiàn)有技術相比,本發(fā)明在晶體生長爐的頂端的觀測視窗上部設置非接觸式紅外測溫裝置,實現(xiàn)熔體/固體界面處軸向和徑向溫度測算,根據(jù)測得的溫度梯度設計稀土晶體生長所需的溫場結(jié)構(gòu),利用結(jié)晶生長的化學鍵合理論,令提拉生長系統(tǒng)熱力學和動力學控制滿足最優(yōu)匹配,縮短稀土晶體生長時長,提高晶體生長的能效比,提高晶體成品率。
聲明:
“稀土晶體生長設備、稀土晶體生長工藝及應用” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)