一種半導(dǎo)體裝置、半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，其中所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的形成方法，包括：提供半導(dǎo)體襯底，在所述半導(dǎo)體襯底上形成介質(zhì)層；采用化學(xué)機(jī)械研磨工藝平坦化所述介質(zhì)層；進(jìn)行測(cè)量步驟，測(cè)量平坦化后的介質(zhì)層厚度；判斷測(cè)量的介質(zhì)層厚度是否達(dá)到目標(biāo)厚度，若平坦化后的介質(zhì)層的厚度未達(dá)到目標(biāo)厚度，獲得測(cè)量的介質(zhì)層的厚度與目標(biāo)厚度的差異值，并基于該差異值進(jìn)行沉積步驟，在平坦化后的介質(zhì)層上形成第一補(bǔ)償介質(zhì)層；若平坦化后的介質(zhì)層的厚度達(dá)到目標(biāo)厚度，則結(jié)束。本發(fā)明的方法通過(guò)自動(dòng)測(cè)量和反饋的方式形成第一介質(zhì)補(bǔ)償層，提高了形成的介質(zhì)層厚度的精度。