本發(fā)明提供一種SiC外延層的制備方法及裝置,其中制備方法包括以下步驟:提供一SiC襯底,并將SiC襯底放入一反應(yīng)腔室中;向反應(yīng)腔室通入反應(yīng)氣體及摻雜氣體,使反應(yīng)氣體及摻雜氣體吹向SiC襯底表面,且反應(yīng)氣體及摻雜氣體的氣流方向垂直于SiC襯底表面;加熱SiC襯底,并采用化學(xué)氣相沉積法在SiC襯底表面生長SiC外延層;采用光波監(jiān)測系統(tǒng)監(jiān)測正在生長的SiC外延層的摻雜濃度,并根據(jù)監(jiān)測到的摻雜濃度控制通入的摻雜氣體的氣體流量。本發(fā)明將反應(yīng)氣體及摻雜氣體垂直吹向SiC襯底表面,并可采用光波監(jiān)測系統(tǒng)實(shí)時(shí)監(jiān)測摻雜濃度,從而在所述SiC襯底表面獲得厚度均勻性及摻雜濃度均勻性均較高的SiC外延層,實(shí)現(xiàn)對摻雜濃度的精確控制,獲得高產(chǎn)率、高性能的SiC外延層。
聲明:
“SiC外延層的制備方法及裝置” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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