本公開涉及再生PECVD設(shè)備或DRY ETCH設(shè)備腔體中的構(gòu)件的方法,該方法包括以下連續(xù)步驟:(a)對所述構(gòu)件的表面進(jìn)行噴砂處理;(b)用濃度為40?100g/L的無機(jī)酸溶液清洗所述構(gòu)件的表面;(c)檢查所述構(gòu)件的表面;(d)對所述構(gòu)件的表面進(jìn)行激光定點(diǎn)清洗;(e)對所述構(gòu)件的表面進(jìn)行超聲波清洗;(f)對所述構(gòu)件的表面進(jìn)行研磨處理;(g)對所述構(gòu)件的表面進(jìn)行噴砂處理;(h)使用干冰對所述構(gòu)件的表面進(jìn)行清洗;(i)用酸性或堿性溶液對所述構(gòu)件的表面進(jìn)行化學(xué)刻蝕;(j)對所述構(gòu)件的表面進(jìn)行超聲波清洗;(k)對所述構(gòu)件的表面進(jìn)行高壓清洗;以及(l)干燥所述構(gòu)件的表面。
聲明:
“再生PECVD設(shè)備或DRY ETCH設(shè)備腔體中的構(gòu)件的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)