本發(fā)明涉及晶體硅表面鍍膜領域,具體是一種新型PECVD的鍍膜工藝,工藝步驟為:進爐升溫穩(wěn)定溫度;氨氣吹掃;抽真空檢漏;預沉積;通化學反應氣體開射頻電離;抽真空;充氣;退火;出爐。采用本發(fā)明的鍍膜工藝鍍膜的硅片制備的
電池片因為修復了硅片表面的轟擊損傷,降低了硅片表面的懸掛鍵數(shù)量,減少了復合中心,降低了電子的復合速率,增加了用于輸出電流的電子空穴對,提高了電池片的短路電流,提高了電池片的效率,極大地增加了在本行業(yè)的競爭力。
聲明:
“新型PECVD的鍍膜工藝” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)