本發(fā)明提供一種MEMS壓力傳感器制造方法及MEMS壓力傳感器，其中的MEMS壓力傳感器制造方法，包括對第一硅基體依次進(jìn)行化學(xué)腐蝕和減薄處理，形成具有傾斜開孔的第一結(jié)構(gòu)層；在第一結(jié)構(gòu)層的最大開孔的一側(cè)鍵合第二結(jié)構(gòu)層，并對第二結(jié)構(gòu)層進(jìn)行減薄處理，形成敏感層；在敏感層上制作探測單元、焊盤以及覆蓋敏感層、探測單元和焊盤的保護(hù)層；在第一結(jié)構(gòu)層遠(yuǎn)離敏感層的一側(cè)鍵合第二硅基體，并對第二硅基體依次進(jìn)行干法刻蝕和減薄處理，形成具有規(guī)則開孔的第三結(jié)構(gòu)層；在保護(hù)層上鍵合保護(hù)蓋，保護(hù)敏感層結(jié)構(gòu)，并最終形成MEMS壓力傳感器。利用上述發(fā)明能夠利用單晶硅基底濕法腐蝕側(cè)壁傾斜特性，通過開孔倒置鍵合方式擴(kuò)大壓力敏感膜的面積，并提高傳感器整體結(jié)構(gòu)強(qiáng)度和性能。