本發(fā)明涉及
芯片尺度溫度測量技術(shù)領(lǐng)域,更具體地,涉及一種全光調(diào)諧溫度傳感器及其制備方法。包括以下步驟,1)采用熱蒸鍍的方法在具有二氧化硅犧牲層的硅片上沉積硫系薄膜,利用電子束曝光、反應(yīng)離子刻蝕及濕法化學(xué)腐蝕等工藝在硫系薄膜表面加工自由站立的微盤諧振器主體;2)在微盤諧振器主體上選擇性地沉積光致熱敏材料作為吸收層,即可完成溫度傳感器的制作;本發(fā)明還公開了一種全光調(diào)諧的溫度傳感器,從下往上包括硅片、二氧化硅犧牲層、圖形化的硫系薄膜和光致熱敏材料吸收層;本發(fā)明利用光致熱敏材料對光強吸收后易發(fā)熱的機理,來增強硫系微盤諧振器的熱響應(yīng)度,從而有效提高全光調(diào)諧溫度傳感器的探測靈敏度。
聲明:
“全光調(diào)諧溫度傳感器及其制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)