本發(fā)明公開(kāi)了一種制備Si基碲鎘汞
芯片位錯(cuò)觀察樣品的襯底腐蝕工藝。工藝包括探測(cè)器芯片的襯底減薄拋光和清洗、芯片保護(hù)、襯底氧化層腐蝕、襯底選擇性濕法腐蝕四個(gè)步驟,本發(fā)明的特征在于:將化學(xué)機(jī)械減薄拋光后的Si基碲鎘汞芯片襯底朝上貼于寶石片上并固化,將制好的樣品放入氫氟酸中去氧化層,再將其放入高選擇比腐蝕液中進(jìn)行腐蝕。本發(fā)明的特點(diǎn)在于:能獲得襯底完全去除的碲化鎘/碲鎘汞外延薄膜材料和光亮的碲化鎘界面,為從碲化鎘界面入手研究探測(cè)器芯片中位錯(cuò)提供了方便。
聲明:
“制備Si基碲鎘汞芯片位錯(cuò)觀察樣品的襯底腐蝕工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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