本發(fā)明涉及一種非倒裝鍵合體式硫系鉛焦平面陣列器及其制備方法與應(yīng)用,屬于光電傳感器制備工藝技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明設(shè)計的制備方法解決了倒裝鍵合工藝復(fù)雜,成品率低,成本高的問題,采用硫系鉛薄膜具備的大面積均勻性和易與硅襯底集成的特性,直接在硅襯底上沉積生長制備焦平面陣列,同時在化學(xué)水浴沉積過程中,采用豎直布置襯底的方式,可一次性生成多個基片,有利于保證產(chǎn)品質(zhì)量穩(wěn)定性。故本發(fā)明設(shè)計的陣列器件質(zhì)量穩(wěn)定,探測率、響應(yīng)率也表現(xiàn)良好。
聲明:
“非倒裝鍵合體式硫系鉛焦平面陣列器及其制備方法與應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)