本發(fā)明公開了一種生長(zhǎng)在硅襯底上的(100)高度擇優(yōu)取向的氮化鈦薄膜及其制備方法。采用單面拋光基片作為襯底，將基片放置于旋轉(zhuǎn)加熱臺(tái)面上，蓋上真空腔蓋，抽取本底真空，通入氮?dú)夂蜌鍤?，進(jìn)行磁控濺射后，停止通入氮?dú)夂蜌鍤?，進(jìn)行抽真空退火，然后關(guān)閉分子泵，待降溫關(guān)閉機(jī)械泵，打開放氣閥，待旋轉(zhuǎn)加熱臺(tái)面溫度降至常溫時(shí)取出樣品；進(jìn)行磁控濺射時(shí)調(diào)整濺射薄膜時(shí)的溫度、氮?dú)鈿鍤饬髁勘壤涂偭髁恳约俺檎婵胀嘶鹗沟米罱K制成所述氮化鈦薄膜，并通過(guò)控制濺射功率、工作電壓和濺射時(shí)間控制薄膜的厚度。本發(fā)明的氮化鈦薄膜擁有低電阻率和較好的化學(xué)穩(wěn)定性和光學(xué)特性，適合作為底電極，也可應(yīng)用在各類光電探測(cè)器中，方法工藝相對(duì)簡(jiǎn)單。