本公開提供了一種窄帶隙二維半導(dǎo)體化合物EuTe4、其制備方法及其應(yīng)用,兼具二維材料和窄帶隙
半導(dǎo)體材料的優(yōu)點,可應(yīng)用于光電探測器、熱電材料、二維超晶格器件和相變電子學(xué)器件。窄帶隙二維半導(dǎo)體化合物EuTe4,化學(xué)式為EuTe4,晶體結(jié)構(gòu)屬于正交晶系,空間群為Pmmn,晶胞參數(shù)為:
α=90°;
β=90°;
γ=90°。EuTe4為窄禁帶半導(dǎo)體,光學(xué)帶隙約為0.3eV,電阻隨著溫度降低而增大,具有典型的一階相變特征;本公開中的具有二維材料和窄帶隙半導(dǎo)體材料的優(yōu)點,具有重要的應(yīng)用和基礎(chǔ)研究價值。
聲明:
“窄帶隙二維半導(dǎo)體化合物EuTe4、其制備方法及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)