本發(fā)明屬于
復(fù)合材料制備技術(shù)領(lǐng)域,提供了一種Si基Ge摻雜
石墨烯復(fù)合材料的制備方法,采用離子束濺射法制備Si基Ge摻雜石墨烯,所述方法包括以下步驟:將Si基石墨烯基片放入生長(zhǎng)室,抽真空后通過(guò)Ge沉積(200~800℃)、退火(0~30min)工藝獲得Si基Ge摻雜石墨烯復(fù)合材料。本發(fā)明優(yōu)勢(shì):Si基復(fù)合材料可與現(xiàn)行成熟Si微電子工藝兼容;實(shí)現(xiàn)了Ge對(duì)石墨烯中C原子的取代摻雜,形成Ge?C鍵合;避免化學(xué)法在原子周圍產(chǎn)生支鏈,及支鏈勢(shì)壘影響載流子的輸運(yùn)特性。本發(fā)明的復(fù)合材料具有高載流子濃度和遷移率,可用于微電子器件、
太陽(yáng)能電池及紅外探測(cè)等領(lǐng)域。
聲明:
“Si基Ge摻雜石墨烯復(fù)合材料的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)