一種刻蝕機臺的處理方法包括:預處理:向所述刻蝕機臺的反應腔內(nèi)多次打入含有氧自由基及氫自由基的等離子體,以去除反應腔內(nèi)的水汽及反應腔表面的Si?C鍵;灰化處理:將表面具有光刻膠的晶圓控片置于所述反應腔內(nèi),并采用含有氧自由基的等離子體對光刻膠進行處理,以使光刻膠解離,且去除反應腔表面的Si?OH鍵,解離產(chǎn)物能夠附著在所述反應腔表面。本發(fā)明刻蝕機臺的處理方法能夠避免等離子體與反應腔表面的化學鍵結(jié)合,從而避免在后續(xù)的測機作業(yè)中出現(xiàn)顆粒物數(shù)量過高的情況,大大減小刻蝕機臺宕機時間及次數(shù)。
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