一種用來清除等離子體腐蝕引入的殘留物的方 法。在一個(gè)實(shí)施方案中, 在部分光抗蝕劑已經(jīng)被用來形成
多晶硅 柵之后, 本發(fā)明提供了一種新穎的有利的等離子體灰化環(huán)境。具 體地說, 在此實(shí)施方案中, 本發(fā)明將CF4引入到等離子體灰化環(huán)境中。接著, 本實(shí)施方案將H2O汽引入到等離子體灰化環(huán)境中。在此實(shí)施方案中, CF4對(duì)H2O的體積比為0.1∶1-10∶1。接著, 本實(shí)施方案利用這一等離子體灰化環(huán)境來基本上清除多晶硅腐蝕引入的殘留物而不需要腐蝕性化學(xué)剝離。在這樣做的過程中, 柵氧化物的腐蝕被明顯地抑制, 致使足夠量的柵氧化物層保留在下方的半導(dǎo)體襯底上。此外, 在本發(fā)明中, 在清除等離子體腐蝕引入的殘留物之后, 柵氧化物層是清潔的, 且足夠的柵氧化物保留下來, 致使能夠精確而可靠地測(cè)量保留的柵氧化物層的厚度。
聲明:
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