本發(fā)明提供一種功率器件的制造方法,提供一形成有IGBT元胞結(jié)構(gòu)的晶圓,IGBT元胞結(jié)構(gòu)包括在形成ILD層之前在晶圓表面形成的氮化硅層;在晶圓的正面形成金屬電極;對晶圓的背面進行Taiko減薄;在晶圓的背面進行離子注入并退火形成集電區(qū);利用化學鍍工藝在金屬電極上鍍上目標金屬;在晶圓背面形成背面金屬層;進行
芯片測試;去除晶圓背面的Taiko環(huán)。本發(fā)明通過在形成ILD層之前在晶圓表面形成氮化硅層,使得晶圓背面形成的Taiko環(huán)有氮化硅層保護,解決了IGBT化鍍工藝導致背面金屬脫落的問題,避免了造成晶圓碎片或機臺沾污。
聲明:
“功率器件的制造方法” 該技術專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)