本發(fā)明公開了一種多孔硅基二氧化碲納米棒復(fù)合結(jié)構(gòu)氣敏傳感器元件的制備方法,采用雙槽
電化學(xué)腐蝕法在p型單面拋光的單晶硅片的拋光表面制備多孔硅層,再利用蒸發(fā)法在多孔硅上原位生長(zhǎng)二氧化碲納米棒,制得復(fù)合結(jié)構(gòu)的多孔硅基二氧化碲納米棒,再于超高真空對(duì)靶磁控濺射設(shè)備的真空室,利用磁控濺射法在其表面沉積形成兩個(gè)鉑點(diǎn)電極。提供了一種制備過程簡(jiǎn)單,易于控制、實(shí)現(xiàn)室溫下對(duì)氮氧化物氣體探測(cè),具有高靈敏度等優(yōu)異氣敏特性的新型多孔硅基二氧化碲納米棒復(fù)合結(jié)構(gòu)的氣敏傳感器元件。
聲明:
“多孔硅基二氧化碲納米棒復(fù)合結(jié)構(gòu)氣敏傳感器元件的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)