一種高結(jié)晶GaN薄膜的制備方法涉及寬帶隙半導(dǎo)體領(lǐng)域,采用一種簡單、綠色、低成本的化學(xué)氣相沉積法在襯底上生長獲得了高質(zhì)量的GaN薄膜。以N2氣為氮源,通過等離子發(fā)生裝置形成N等離子,采用固體鎵源,在800?1000℃下,N2氣流量為10?300sccm,射頻功率為50?300W,調(diào)控N等離子體密度,反應(yīng)0.5?10h,獲得了高結(jié)晶質(zhì)量的GaN薄膜。本專利解決了現(xiàn)在GaN制備過程中出現(xiàn)的高成本、復(fù)雜工藝和危險且有毒環(huán)境的問題,為發(fā)光二極管、激光發(fā)射器、紫外光探測器、高電子遷移率晶體管的制備提供一種可行性的方法。
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“高結(jié)晶GaN薄膜的制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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