本發(fā)明公開了一種磁共振成像兼容的導電薄膜合金材料及其制備方法。本發(fā)明的導電薄膜合金材料是面向植入式醫(yī)療器械、神經(jīng)接口或腦機接口應用,以一種順磁性物質(zhì)和一種抗磁性物質(zhì)為共濺射材料,通過磁控共濺射鍍膜的微納加工技術制備得到的薄膜合金材料。本發(fā)明利用磁控共濺射鍍膜的方法,分別優(yōu)化設定了順磁性物質(zhì)?抗磁性物質(zhì)的濺射電流強度、功率等參數(shù)以及特定的成膜氣壓來制備合金材料。從而確定了可應用于植入器械的導電薄膜合金材料的磁控濺射制備條件,使其具有較好的導電與
電化學性質(zhì),并且在磁共振成像中不會造成影響觀測植入部位的成像偽影,具有良好的磁共振成像兼容性。
聲明:
“磁共振成像兼容的導電薄膜合金材料及其制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)