本發(fā)明公開了抗壞血酸在增強(qiáng)N型半導(dǎo)體穩(wěn)定性中的應(yīng)用及一種增強(qiáng)N型半導(dǎo)體穩(wěn)定性的方法,屬于
半導(dǎo)體材料技術(shù)領(lǐng)域。所述方法為在N型半導(dǎo)體器件表面構(gòu)筑抗壞血酸薄膜,所述抗壞血酸薄膜的制備方法為:將抗壞血酸溶液通過懸涂法、提拉法或滴注法均勻涂布在所述N型半導(dǎo)體器件表面,自然固化或者真空退火固化。所述抗壞血酸溶液中還加入聚氨酯溶液。該方法采用氧消除的策略,抗壞血酸可以清除已加入N型半導(dǎo)體中的氧,消除禁帶中的相關(guān)陷阱狀態(tài),防止N型半導(dǎo)體的進(jìn)一步降解。利用本發(fā)明的方法所制備的N型半導(dǎo)體器件的遷移率等電學(xué)性能提升,操作穩(wěn)定性和長時間存儲穩(wěn)定性均得到提高。
聲明:
“增強(qiáng)N型半導(dǎo)體穩(wěn)定性的方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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