本發(fā)明提供了一種III族氮化物襯底以及制備方法。所提供的襯底的III族元素面至少存在一個(gè)橫截面為V型的溝槽,所述溝槽的深度范圍是0.3nm-50nm,寬度范圍是10nm-500nm。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于,只去除晶格損傷而不特別在意是否去除劃痕,測試結(jié)果表明,與現(xiàn)有技術(shù)中采用無劃痕襯底相比,所獲得的外延層質(zhì)量相同。因此,本發(fā)明摒棄了外延襯底一定要無劃痕的技術(shù)偏見,提供了有劃痕的襯底用于外延生長,節(jié)省了化學(xué)機(jī)械拋光帶來的工藝成本。
聲明:
“III族氮化物襯底以及制備工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)