本發(fā)明公開(kāi)了一種超高密度單壁
碳納米管水平陣列及其制備方法。該方法,包括如下步驟:在單晶生長(zhǎng)基底上加載催化劑,退火后,在化學(xué)氣相沉積系統(tǒng)中通入氫氣進(jìn)行所述催化劑的還原反應(yīng),并保持氫氣的通入進(jìn)行單壁碳納米管的定向生長(zhǎng)即得。該方法制備得到超高密度單壁碳納米管水平陣列的密度超過(guò)130根/微米,這是目前世界上已報(bào)道直接生長(zhǎng)密度最高的單壁碳納米管水平陣列。對(duì)本發(fā)明制備的超高密度單壁碳納米管水平陣列進(jìn)行電學(xué)性能測(cè)試,其開(kāi)電流密度達(dá)到380μA/μm,跨導(dǎo)達(dá)到102.5μS/μm,均是目前世界上碳納米管場(chǎng)效應(yīng)晶體管中的最高水平。
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“超高密度單壁碳納米管水平陣列及其可控制備方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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