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氮化鎵基高電子遷移率晶體管的葡萄糖傳感器

957   編輯:管理員   來源:中冶有色技術(shù)網(wǎng)  
2023-03-19 08:56:59
本發(fā)明提供了一種氮化鎵基高電子遷移率晶體管的葡萄糖傳感器,在所述氮化鎵基材料表面分別蒸鍍?cè)礃O、漏極和柵極金屬層;在所述的源電極和漏電極表面及側(cè)面生長(zhǎng)保護(hù)層;所述的柵金屬電極不在源漏金屬電極間;在所述的源和漏金屬電極間的空柵區(qū)域固定化學(xué)修飾層;修飾層包括自組裝分子膜、金納米顆粒和葡萄糖氧化酶。本發(fā)明利用氮化鎵/鋁鎵氮界面處可產(chǎn)生高濃度高遷移率的二維電子氣對(duì)表面縱向微小電荷的變化有輸出和放大的作用,通過有序排列在自組裝分子膜表面的金納米顆粒,在葡萄糖酶的催化下,葡萄糖會(huì)分解成葡萄糖酸和電子,不同濃度的葡萄糖產(chǎn)生的電子不同,源極和漏極的輸出電流不同,從而測(cè)試葡萄糖的濃度。
聲明:
“氮化鎵基高電子遷移率晶體管的葡萄糖傳感器” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)
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