一種二維碲化鉍單晶片的CVD制備方法,所述方法采用化學(xué)氣相沉積法,并利用滑軌對材料生長過程進(jìn)行調(diào)控,得到了形貌可控的大尺寸二維碲化鉍單晶片。該方法可以有效避免升溫和降溫階段副反應(yīng)的發(fā)生,大大減少副產(chǎn)物在襯底表面的沉積,所制備的碲化鉍單晶片尺寸較大而且形貌可控,呈現(xiàn)規(guī)則的六邊形或三角形。這種單晶材料擁有單一的晶體取向和更好的結(jié)晶質(zhì)量,使其成為未來光電探測器領(lǐng)域最有潛力的一類材料,這對材料的光電性能的提高具有重要的意義。
聲明:
“二維碲化鉍單晶片的CVD制備方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)