本發(fā)明屬于半導體光電材料及薄膜領域,更具體地,涉及一種銻硫硒合金薄膜的制備方法。本發(fā)明由硒化銻粉末和單質硫粉末或者硒化銻粉末和硫化銻粉末作為蒸發(fā)源,分別放置在雙溫區(qū)管式爐的兩個溫區(qū),通過氣相轉移沉積法在襯底上制得,其化學表達式為Sb
2(Se
1?xS
x)
3,其厚度小于或等于2μm。本發(fā)明制備工藝簡單,對設備要求低,制備出的合金薄膜均勻致密,其禁帶寬度在1.17eV到1.7eV之間連續(xù)可調,可用于制備薄膜
太陽能電池、光電探測器等光電器件。
聲明:
“銻硫硒合金薄膜的制備方法” 該技術專利(論文)所有權利歸屬于技術(論文)所有人。僅供學習研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)