本發(fā)明公開了一種
太陽能電池背場激光PN隔離工藝,包括步驟:前清洗制絨、擴(kuò)散、PN隔離、后清洗、等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積法沉積氮化硅、絲網(wǎng)印刷燒結(jié)、測試分選;所述PN隔離采用激光刻蝕,具體方法是:在太陽能電池的背面,利用光纖激光器以100~120mm/s的刻線速率圍繞硅片的背面表面進(jìn)行邊緣刻槽,所述刻槽離硅片的邊緣距離為0.5mm,刻槽深度為10~15μm,從而實(shí)現(xiàn)PN隔離。本發(fā)明使用激光隔離代替?zhèn)鹘y(tǒng)的濕法刻蝕工藝,并且對傳統(tǒng)激光刻蝕的工藝進(jìn)行了改善,完全可以滿足太陽能電池生產(chǎn)過程中去除邊緣PN結(jié)的工藝需求。
聲明:
“太陽能電池背場激光PN隔離工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)