本發(fā)明公開了一種BCD工藝用超高溫條件下滑移線的外延控制方法,包括步驟:(1)準(zhǔn)備溫度控片;(2)反應(yīng)腔升溫并進(jìn)行HCL清潔;(3)冷卻至室溫,裝入溫度控片;(4)以恒定的升溫速率升溫至1150?1200℃進(jìn)行烘烤;(5)取出溫度控片進(jìn)行化學(xué)處理;(6)對(duì)溫度控片進(jìn)行電阻率測(cè)試,獲得溫度控片各區(qū)域溫度并進(jìn)行溫度補(bǔ)償;(7)清洗待外延的硅片并重復(fù)步(2)的操作后,將待外延的硅片放入反應(yīng)腔;以步驟(4)中的升溫速率升溫至預(yù)設(shè)烘烤溫度并同步進(jìn)行步驟(6)中的溫度補(bǔ)償,進(jìn)行烘烤;調(diào)整反應(yīng)腔溫度至生長(zhǎng)溫度,通入SiHCl3、H2并摻雜,外延生長(zhǎng)至目標(biāo)厚度和目標(biāo)電阻率。本發(fā)明能夠有效控制外延過程中硅片表面的溫度分布,更好控制滑移線的產(chǎn)生。
聲明:
“BCD工藝用超高溫條件下滑移線的外延控制方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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