紫外激光誘導(dǎo)相變光盤存儲(chǔ)的一種方法涉及相變光盤存儲(chǔ)的技術(shù)。相變光盤存儲(chǔ)密度取決于誘導(dǎo)相變的激光波長(zhǎng)，波長(zhǎng)越短，存儲(chǔ)密度越大，但是當(dāng)激光波長(zhǎng)越短時(shí)，信噪比越低，讀取信息質(zhì)量越差。本發(fā)明采用248nm的準(zhǔn)分子激光器誘導(dǎo)相變材料發(fā)生可逆相變，并且達(dá)到滿足要求的信噪比。該相變材料是Ge、Sb、Te、Sn組成的四元組分存儲(chǔ)材料。其化學(xué)通式為SnxGe20-xSb20Te50，該相變材料作為相變光盤的存儲(chǔ)介質(zhì)，可以在激光誘導(dǎo)下實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)、擦除和讀寫數(shù)據(jù)。該發(fā)明得到的反射率對(duì)比度在15%以上、并且具有更短的結(jié)晶時(shí)間的方法。實(shí)現(xiàn)了紫外激光誘導(dǎo)相變光盤大密度存儲(chǔ)。預(yù)測(cè)將是現(xiàn)有的藍(lán)光DVD存儲(chǔ)密度的800倍。