本申請(qǐng)涉及一種高通量器官
芯片及其應(yīng)用。芯片包括:多個(gè)培養(yǎng)模塊;單個(gè)培養(yǎng)模塊包括:第一培養(yǎng)層、第二培養(yǎng)層、多孔隔膜層和電極層;第一培養(yǎng)層為開放式培養(yǎng)層;第二培養(yǎng)層為封閉式培養(yǎng)層;第一培養(yǎng)層設(shè)置有細(xì)胞培養(yǎng)孔和至少兩個(gè)流體孔;細(xì)胞培養(yǎng)孔和流體孔相鄰設(shè)置;第二培養(yǎng)層設(shè)置有細(xì)胞培養(yǎng)流道;細(xì)胞培養(yǎng)流道與流體孔相連通;多孔隔膜層設(shè)置于細(xì)胞培養(yǎng)流道和細(xì)胞培養(yǎng)孔之間;電極層設(shè)置于所述第二培養(yǎng)層遠(yuǎn)離所述第一培養(yǎng)層的一側(cè)。本申請(qǐng)的器官芯片便于實(shí)施自動(dòng)化操作;也可通過將可插入式電極棒浸入細(xì)胞培養(yǎng)孔,然后和電極層分別與
電化學(xué)工作站相連,進(jìn)而能夠進(jìn)行屏障結(jié)構(gòu)跨膜電阻測(cè)量,為生理病理模型研究和藥物評(píng)價(jià)提供有效的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)。
聲明:
“高通量器官芯片及其應(yīng)用” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)