本發(fā)明提供了一種去除碳化硅晶片表面顆粒的清洗方法,本發(fā)明中的有機清洗通過堿性有機溶劑+機械作用相結(jié)合的辦法,來去除表面黏著的蠟質(zhì)、拋光液中的無機研磨液、硅溶膠和其余的大顆粒;無機清洗通過化學(xué)藥液和機械作用相結(jié)合的辦法來進一步去除碳化硅表面的小顆粒;表面鈍化通過氧化作用來去除碳化硅表面的懸掛鍵,防止顆粒的再次吸附污染。本發(fā)明中的方法清洗的晶片通過Candela 920測試,0.3um以上顆粒數(shù)小于300個,合格率可以達到90%以上。
聲明:
“去除碳化硅晶片表面顆粒的清洗方法” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)