本發(fā)明屬于
芯片制造技術(shù)領(lǐng)域,尤其是一種大功率放電管芯片制造工藝,針對現(xiàn)有的放電管芯片制作方式復(fù)雜,且制作芯片漏電流高,電容值高,高溫反偏性能弱,抗浪涌能力弱的問題,現(xiàn)提出如下方案,其包括以下步驟:S1:擴散前處理;S2:氧化;S3:單向光刻;S4:低溫氧化;S5:離子注入;S6:氧化表面處理;S7:光刻處理;S8:測試,所述S1中準備并采用N型單晶硅片,通過酸、SC3#配方清洗工序,對硅片表面進行化學(xué)處理。本發(fā)明設(shè)計成正面TSS,背面TVS與AK系列TVS合并封裝成一種保護器件,漏電流低,電容值低,高溫反偏性能強,抗浪涌能力強。
聲明:
“大功率放電管芯片制造工藝” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請聯(lián)系該技術(shù)所有人。
我是此專利(論文)的發(fā)明人(作者)