一種太赫茲無(wú)損檢測(cè)硅片電阻率的裝置及其使用方法，涉及太赫茲技術(shù)領(lǐng)域。包括太赫茲輻射源、準(zhǔn)直擴(kuò)束系統(tǒng)、樣品臺(tái)、太赫茲探測(cè)器、計(jì)算機(jī)、機(jī)械吸盤(pán)、返工片收集盒；太赫茲輻射源設(shè)置在最下方，太赫茲輻射源垂直向上輻射太赫茲波，準(zhǔn)直擴(kuò)束系統(tǒng)設(shè)置在太赫茲輻射源的正上方，所述太赫茲探測(cè)器設(shè)置在準(zhǔn)直擴(kuò)束系統(tǒng)正上方，太赫茲探測(cè)器與準(zhǔn)直擴(kuò)束系統(tǒng)之間有一段間距，太赫茲探測(cè)器的探頭朝下，用于接收太赫茲輻射，樣品臺(tái)設(shè)置在太赫茲探測(cè)器與準(zhǔn)直擴(kuò)束系統(tǒng)之間，能夠沿水平面移動(dòng)，計(jì)算機(jī)與太赫茲探測(cè)器數(shù)據(jù)線相連，機(jī)械吸盤(pán)與計(jì)算機(jī)數(shù)據(jù)線連接，返工片收集盒獨(dú)立?？稍诓唤佑|硅片的情況下，無(wú)損地測(cè)量硅片的電阻率，不會(huì)對(duì)硅片造成損傷。