本發(fā)明公開一種GaNHEMT器件的高頻無損逐周期電流檢測(cè)電路,涉及氮化鎵基第三代寬禁帶半導(dǎo)體領(lǐng)域,包括GaN HEMT器件器件電路、電流源電路、動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻提取電路和運(yùn)放差分電路,可通過探測(cè)器件漏極電壓推算得到,通過器件漏源極的高頻電流,省去了電流探測(cè)器,避免了電流探測(cè)器帶來的損耗,減小了電路環(huán)路面積。該方法還能有效地將GaN HEMT器件的自熱效應(yīng)及其獨(dú)有的俘獲效應(yīng)解嵌,從而獲得高精度的電流探測(cè)結(jié)果,能夠廣泛地運(yùn)用于高頻功率電子線路中。
聲明:
“GaNHEMT器件的高頻無損逐周期電流檢測(cè)電路” 該技術(shù)專利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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