本發(fā)明涉及一種人工耳蝸植入體無(wú)損測(cè)試裝置及測(cè)試方法,所述人工耳蝸植入體包括依次連接的蝸外參考電極、解碼器
芯片和主電極,主電極包括通過(guò)絕緣涂層間隔設(shè)置的多個(gè)電極環(huán),且絕緣涂層的寬度大于電極環(huán)的寬度,所述無(wú)損測(cè)試裝置包括柵控制電路板,該柵控制電路板正面設(shè)置有均勻間隔分布的多條導(dǎo)電柵,背面設(shè)置有柵控制電路,主電極覆蓋于柵控制電路板正面上,且主電極和柵控制電路板間設(shè)置有使電極環(huán)和導(dǎo)電柵導(dǎo)通的生理鹽水,柵控制電路通過(guò)柵控制輸出端與負(fù)載電阻連接,負(fù)載電阻與蝸外參考電極連接,柵控制電路板上導(dǎo)電柵的設(shè)置位置與主電極上電極環(huán)的設(shè)置位置相匹配。與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明具有結(jié)構(gòu)精巧,測(cè)試方便,破壞性小等優(yōu)點(diǎn)。
聲明:
“人工耳蝸植入體無(wú)損測(cè)試裝置及測(cè)試方法” 該技術(shù)專(zhuān)利(論文)所有權(quán)利歸屬于技術(shù)(論文)所有人。僅供學(xué)習(xí)研究,如用于商業(yè)用途,請(qǐng)聯(lián)系該技術(shù)所有人。
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